产品描述：型号 6210100350 是一款工作频率 0.03～2.5 GHz、输出功率 10 W 的宽带连续波 GaN 功率放大器芯片。本芯片为双电源供电架构，硬件应用时，供电端口应配置宽带扼流电感，射频输入、输出端口务必外接隔直电容，满足直流隔离与射频馈电要求。芯片外形尺寸：2.4mm×1.9mm
产品分类：GaN 宽带功率放大器芯片
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| 零件编号 | GaN 宽带功率放大器芯片 |
|---|---|
| 产品型号 | 6210100350 |
| 频率范围 | 0.03～2.5GHz |
| 输出功率 | 40.5dBm(CW) |
| 功率附加效率 | 60% |
| 功率增益 | 15dB |
| 小信号增益 | 20dB |
| 电压 | Vd：+28V，Vg：-2.1V |
| 产品尺寸 | 2.4×1.9 (mm) |
| 上传日期 | 2026-09-03 |
型号 6210100350 是一款工作频率 0.03～2.5 GHz、输出功率 10 W 的宽带连续波 GaN 功率放大器芯片。本芯片为双电源供电架构，硬件应用时，供电端口应配置宽带扼流电感，射频输入、输出端口务必外接隔直电容，满足直流隔离与射频馈电要求。芯片外形尺寸：2.4mm×1.9mm
型号：6210100250 是一款1.3～1.6GHz GaN功率放大器芯 片，连续波模式下，频段内功率增益26dB，输出功率 38dBm，功率附加效率65%，采用双电源供电。芯片外形尺寸：1.98mm×1.47mm
型号：6210100150 型芯片是一款性能优良的 5～6GHz 高功率放大器。此芯片采用双电源供电，漏极电压 Vds 为 28V 时可提供 48.5dBm 饱和输出功率。该芯片主要应用于 收发组件、无线通信等领域。芯片外形尺寸：3.4mm×6.2mm
S 波段内匹配功率放大器 丨频率范围：2.7～3.5GHz 丨功率增益：20dB 丨 工作电压：Vdd：+28V（脉冲），Vg：-2.1V 丨 产品尺寸：8.8mm×8mm×0.7mm
GaN 内匹配功放管 丨频率范围：0.95～1.25GHz 丨功率增益：15dB 丨 工作电压：Vd：+28V，Vg：-2.45V(可调) 丨 产品尺寸：24mm×17.4mm×4.4mm
注意事项
1. 芯片存储与使用环境
芯片应在干燥氮气环境下密封存储；芯片开封、装配操作需在超净环境内完成，避免水汽、粉尘污染芯片。
2. 芯片本体防护
本器件为GaN基芯片，材料质地较脆，严禁触碰芯片有源表面，拿取、转运过程轻拿轻放，防止芯片划伤、碎裂损伤。器件对静电敏感，全流程存储、转运、装配必须落实防静电措施，避免静电击穿芯片。
3. 载体与装配要求
芯片装配载体优先选用CuMoCu、CuMo、CuW等高导热低膨胀材料；芯片烧结时，芯片与载体界面应避免产生孔洞，保障界面导热性能，保证管壳与载体具备良好散热条件，防止工作过程热堆积损坏芯片。
4. AuSn金锡烧结工艺要求
推荐采用Au80Sn20金锡焊料进行芯片烧结；烧结温度≤300℃，烧结保温时间≤30s；烧结全过程禁止温度骤升骤降，必须执行逐步升、降温工艺曲线，避免热应力造成芯片开裂。
5. 金丝键合工艺要求
建议选用直径25μm‑30μm金丝完成键合；键合台底盘温度不高于250℃；键合操作尽量缩短工艺时长；键合过程严禁温度剧烈波动，降低热应力风险。
6. 上电、下电操作时序（严格执行）
上电开机顺序：先施加栅极电压，后施加漏极电压；
关机去电顺序：先撤除漏极电压，后撤除栅极电压；
禁止颠倒时序，防止栅极过压损坏芯片。
7. 射频端口说明
芯片微波端口内部未集成隔直电容，外部电路设计时需要增加隔直器件，避免直流串入射频端口造成器件损坏。
