产品描述：型号：6210100250 是一款1.3～1.6GHz GaN功率放大器芯 片，连续波模式下，频段内功率增益26dB，输出功率 38dBm，功率附加效率65%，采用双电源供电。芯片外形尺寸：1.98mm×1.47mm
产品分类：GaN 功率放大器芯片
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| 零件编号 | GaN 功率放大器芯片 |
|---|---|
| 产品型号 | 6210100250 |
| 频率范围 | 1.3～1.6GHz |
| 输出功率 | 38dBm |
| 功率附加效率 | 65% |
| 功率增益 | 26dB |
| 电压 | Vd：+28V |
| 产品尺寸 | 1.98×1.47 (mm) |
| 上传日期 | 2026-08-31 |
型号 6210100350 是一款工作频率 0.03～2.5 GHz、输出功率 10 W 的宽带连续波 GaN 功率放大器芯片。本芯片为双电源供电架构，硬件应用时，供电端口应配置宽带扼流电感，射频输入、输出端口务必外接隔直电容，满足直流隔离与射频馈电要求。芯片外形尺寸：2.4mm×1.9mm
型号：6210100250 是一款1.3～1.6GHz GaN功率放大器芯 片，连续波模式下，频段内功率增益26dB，输出功率 38dBm，功率附加效率65%，采用双电源供电。芯片外形尺寸：1.98mm×1.47mm
型号：6210100150 型芯片是一款性能优良的 5～6GHz 高功率放大器。此芯片采用双电源供电，漏极电压 Vds 为 28V 时可提供 48.5dBm 饱和输出功率。该芯片主要应用于 收发组件、无线通信等领域。芯片外形尺寸：3.4mm×6.2mm
S 波段内匹配功率放大器 丨频率范围：2.7～3.5GHz 丨功率增益：20dB 丨 工作电压：Vdd：+28V（脉冲），Vg：-2.1V 丨 产品尺寸：8.8mm×8mm×0.7mm
GaN 内匹配功放管 丨频率范围：0.95～1.25GHz 丨功率增益：15dB 丨 工作电压：Vd：+28V，Vg：-2.45V(可调) 丨 产品尺寸：24mm×17.4mm×4.4mm
注意事项
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电；
2．GaN 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；
3. 建议载板材料使用 CuW 或 CuMo，装配时芯片与载体之间要避免空洞，利于功放芯片的散热；
4. 芯片建议采用比例为 Au:Sn=80%:20%的金锡焊料烧结，烧结温度不超过 300℃，时间不长于 30 秒；
5．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，建议使用Ф25μm 金丝键合，建议金丝长度 250～400μm，键合时间尽量短；
6．芯片射频输入端有隔直电容；
7. 上电时，先加栅压后加漏压；去电时，先降漏压后降栅压。
