Descrição do Produto: 型号:6210100250 是一款1.3~1.6GHz GaN功率放大器芯 片,连续波模式下,频段内功率增益26dB,输出功率 38dBm,功率附加效率65%,采用双电源供电。芯片外形尺寸:1.98mm×1.47mm
Tipo de Produto: GaN 功率放大器芯片
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| Número da Peça | GaN 功率放大器芯片 |
|---|---|
| 产品型号 | 6210100250 |
| 频率范围 | 1.3~1.6GHz |
| 输出功率 | 38dBm |
| 功率附加效率 | 65% |
| 功率增益 | 26dB |
| 电压 | Vd:+28V |
| 产品尺寸 | 1.98×1.47 (mm) |
| 上传日期 | 2026-08-31 |

型号 6210100350 是一款工作频率 0.03~2.5 GHz、输出功率 10 W 的宽带连续波 GaN 功率放大器芯片。本芯片为双电源供电架构,硬件应用时,供电端口应配置宽带扼流电感,射频输入、输出端口务必外接隔直电容,满足直流隔离与射频馈电要求。芯片外形尺寸:2.4mm×1.9mm

型号:6210100250 是一款1.3~1.6GHz GaN功率放大器芯 片,连续波模式下,频段内功率增益26dB,输出功率 38dBm,功率附加效率65%,采用双电源供电。芯片外形尺寸:1.98mm×1.47mm

型号:6210100150 型芯片是一款性能优良的 5~6GHz 高功率放大器。此芯片采用双电源供电,漏极电压 Vds 为 28V 时可提供 48.5dBm 饱和输出功率。该芯片主要应用于 收发组件、无线通信等领域。芯片外形尺寸:3.4mm×6.2mm
注意事项
1.芯片在干燥、氮气环境中存储,在超净环境使用;对静电敏感,在储存和使用过程中注意防静电;
2.GaN 材料较脆,不能触碰芯片表面,使用时必须小心;
3. 建议载板材料使用 CuW 或 CuMo,装配时芯片与载体之间要避免空洞,利于功放芯片的散热;
4. 芯片建议采用比例为 Au:Sn=80%:20%的金锡焊料烧结,烧结温度不超过 300℃,时间不长于 30 秒;
5.芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm,建议使用Ф25μm 金丝键合,建议金丝长度 250~400μm,键合时间尽量短;
6.芯片射频输入端有隔直电容;
7. 上电时,先加栅压后加漏压;去电时,先降漏压后降栅压。










